Wolfram ass en typescht Iwwergangsmetallelement, dat an der VIB-Grupp vun der sechster Period vum Periodesystem läit. Et ass e sëlwerwäisse glänzende Feststoff mat engem héije Schmelzpunkt, héijer Dicht, héijer Häert, héijer Temperaturbeständegkeet, Korrosiounsbeständegkeet a gerénger Dichte. Et gëtt wäit verbreet an der Metallurgie, dem Bauwiesen, dem Transport, der Elektronik, der chemescher Industrie, der Militärindustrie, der Loft- a Raumfaart, der Wëssenschaft an der Technologie an anere Beräicher benotzt. Besonnesch Wolfram kann net nëmmen Buerbits, Rakéitendüsen, Panzerduerchbrochkugelen, Hartmetallklingen, Superhartformen, Drotzeechformen an aner Produkter hiergestallt ginn, mä kann och benotzt ginn fir verschidde chemesch Materialien, wéi Indiumoxid, ze modifizéieren.
Indiumoxid ass en neit transparent Halbleiterfunktionsmaterial vum n-Typ mat enger breeder Bandlück, engem klenge Widderstand, héijer katalytescher Aktivitéit, schneller Elektronemobilitéit an héijer Liichttransmittanz, déi wäit am Beräich vun der Optoelektronik benotzt gëtt. Wéinst der kontinuéierlecher Entwécklung vun der optoelektronescher Industrie an de leschte Joren ass d'Verbesserung vun der Leeschtung vun In2O3 awer d'Richtung vun de meeschte Fuerscher ginn. D'Integratioun vun héichvalenzen Metallionen, wéi Wolframionen, kann d'Gesamtleistung vun In2O3-Materialien bis zu engem gewësse Grad verbesseren.
Am Verglach mat purem Indiumoxid huet Wolfram-dotiert Indiumoxid (IWO oder Indiumoxid-dotiert Wolframoxid) eng méi héich Trägerkonzentratioun, Trägermobilitéit a siichtbar Liichttransmissioun, dofir ass et besser fir Heterojunction-Zellen geegent. (HJT-Zellen) Dënnschichten aus transparenten, leetfäege Oxid (TCO) verbesseren effektiv d'photoelektresch Konversiounseffizienz vun Heterojunction-Zellen.
Eng Heterojunctionzell ass eng speziell PN-Verbindung, déi aus amorphem Silizium a kristallinem Siliziummaterial geformt gëtt. Et ass e Film aus amorphem Silizium, deen op kristallinem Silizium ofgesat gëtt. Eng vun de wichtegen Entwécklungsrichtungen vu Batterien. Als ee vun de wichtege Komponenten vun HJT-Zellen beaflosst d'Qualitéit vun den TCO-Filmer direkt d'photoelektresch Konversiounsleistung vun HJT-Zellen. Héichleistungs-TCO-Dënnfilmer - Wolfram-dotiert Indiumoxid-Dënnfilmer kënnen duerch DC-Magnetron-Sputtertechnologie hiergestallt ginn. D'Sputterbeschichtungstechnologie bezitt sech op d'Technologie, bei där gelueden Partikelen d'Ziloberfläche bombardéieren, wann se am Vakuumzoustand schaffen, wouduerch déi bombardéiert Partikelen sech um Substrat ofsetzen, fir e dënne Film ze bilden. Et gëtt bericht, datt an de leschten zwee Joer féierend Firmen aus der Photovoltaikindustrie an d'Heterojunction-Industriekette agaange sinn. Dofir gëtt erwaart, datt d'Nofro no Wolfram, ugedriwwe vun der gradueller Entwécklung vun der Heterojunction-Industrie, wäert eropgoen.
Léiert iwwer eis lescht Produkter a Remise per SMS oder E-Mail